Logo Jst No Paddings MiniLogo Jst No Paddings MiniLogo Jst No Paddings MiniLogo Jst No Paddings Mini
  • Home
  • Služby
  • E-learning
  • Blog
  • O mně
  • Kontakt
0
Čeština
  • Angličtina

Nitridace pro duplexní vrstvy

Kategorie
  • Technologie
Štítky

V roce 1992 jsem obhajoval svoji disertační práci na téma Nitrid titanu a plasmová nitridace. Je to tedy více jak 30 let, kdy jsem se snažil objasnit problematiku adheze PVD vrstvy na nitridovaném substrátu. Jenže doba běžela a nic zásadního se nezměnilo. Zakázkové kalírny nabízí technologii nitridace a uživatelé si i nadále stěžují, že ta vrstva TiN, DLC, CrN apod.  na povrchu nedrží. V čem je problém?

No především v tom, že zakázkové kalírny nemají žádné zkušenosti s povlakováním, a naopak, zakázkové povlakovny mají jen malou představu o nitridaci.

Hlavním problémem dobré adheze PVD vrstvy na nitridovaném povrchu jsou jevy, vyskytující se na rozhraní mezi vrstvou a substrátem.

Obr.č. 1 – Rozhraní mezi TiN a nitridovaným povrchem

Představa, že může docházet k epitaxnímu růstu krystalové mřížky TiN na mřížce α´- Fe(Nx) se nepotvrdila, vyjma případů, kdy byl zaznamenám epitaxní růst vrstvy na karbidech typu MC nebo M6C. Tyto karbidy jsou ale v oceli zastoupeny jako minoritní složka, a nemohou tedy celkovou adhezi zásadně ovlivnit.

Obr.č. 2 – Interface strength MC/TiN > M6C/TiN > HSS/TiN [1]

[1] : Strength ranking for interfaces between a TiN hard coating and microstructural constituents of high speed steel determined by micromechanical testing, Elsevier, Materials & Design, vol 204, June 2021, Materials Center Leoben Forschung GmbH)

Vazba mezi PVD vrstvou a substrátem je tedy téměř jistě založena především na kovalentní a kovové vazbě na úrovni atomů. Aby se tedy tato vazba maximalizovala, potřebujeme zachovat po nitridaci kovově čistý povrch substrátu, bez jakýchkoliv nečistot a oxidů.

Obr.č. 3 – Výsledek experimentu žíhání Ti6Al4V za b) vysokého vakua < 5*10-5 mbar, c) v retortové peci s Ar 99,9995, c) na vzduchu [2]

Abychom toho docílili, musíme se zabývat nejenom procesy, ale i technickými plyny a jejich čistotou. I když např. použijeme argon o čistotě 99,9995 při tlaku 1 bar abs v retortové peci, pracujeme i za těchto podmínek s argonem obsahujícím 5 ppm H2O, 3 ppm O2. V přepočtu celkem 8*10-1 Pa (H2O+O2). Toto množství kyslíku a vodní páry je dostatečné na to, aby se nám na povrchu slitiny titanu vytvořila vrstva oxidů TiO2, Al2O3, V2O5 o tl. 0,3 µm.

[2] Thermal Treatment of 3D printed Titanium Alloy (Ti6Al4V), Manufacturing Technology, Michaela Fousová, Dalibor Vojtěch, April 2018, ISSN 1213-2489

I kdybychom tedy pracovali s čistými plyny, stále máme v nitridační komoře kyslík i vodní páru, která nám může vytvářet oxidy. Většina procesů nitridace je ale založena čpavku NH3. Víme, jak je to s jeho čistotou? Nejvyšší čistotu 4.0 dodává GHC (Gerling, Holz & Co). Z technického listu je vidět, že i takto čistý čpavek obsahuje 100 ppm vody. Pokud pracujeme s retortovou nitridační pecí s 1 bar abs. tlaku NH3, v retortě bude 10 Pa H2O.

Obr.č. 4 – Technické parametry čpavku od firmy GHC

I když se tedy budeme snažit u nitridace v plynu sebevíce, samotný čpavek nám do procesu vnáší tolik vody, že nebudeme provádět nitridace ale oxinitridaci za vzniku α´-Fe(NxOy).

Vztah mezi adhezí vrstvy TiN na HSS substrátu a obsahem dusíku ve vrstvě je na obr. č. 5.

Obr.č. 5 – Vztah mezi adhezí Lc měřenou scracth testem s akustickou emisí a obsahem dusíku v nitridované vrstvě v hmotnostních %

Z uvedeného vyplývá, že optimální nitridace pro duplexní vrstvy bude v oblasti s parciálním tlakem dusíku v rozsahu pN2 = 2 až 4 Pa. I kdybychom v plynné nitridaci dosáhli srovnatelného Kn, zůstává nám problém s 10 Pa parciálního tlaku vody, který je vyšší jak námi navrhovaná regulovaná hodnota pro dusík.

Pokud chceme řídit parciální tlak dusíku ve výše uvedeném rozsahu, musíme potlačit zbytkovou atmosféru minimálně o jeden řád níže. To jsme již v oblasti tlaků, které nelze docílit jinak než primární a Rootsovou vývěvou. Musíme tedy zajistit, aby před započetím procesu nitridace byl startovací tlak alespoň 2 – 4 * 10-1 Pa, tj. 2 – 4 * 10-3 mbar, a současně netěsnost zařízení nebyla větší jak 4 Pa*l/s.

A jak je to s tvrdostí nitridované vrstvy na HSS (1.3343) substrátu za těchto podmínek? Ta strmě roste již s minimálním obsahem dusíku. V oblasti, odpovídající parciálnímu tlaku dusíku 2 – 4 Pa je v hodnotách dle obrázku č. 6. Zde byl naměřen mřížkový parametr přibližně α´- Fe (Nx) =  0,2870 nm a tvrdost 1600 až 1700 HV0.1.

Obr.č. 6 – Závislost mikrotvrdosti nitridovaného povrchu na mřížkovém parametru  

Jaké z toho plynou závěry? V praxi jsou dostupné 3 typické procesy nitridace

  • Nitridace v plynu
  • Nitridace za sníženého tlaku (LPN)
  • Nitridace v plasmě

Protože ty první dva pracují výhradně se čpavkem NH3, na základě výše uvedeného tyto dvě nitridační technologie můžeme zcela vyloučit z procesů vhodných pro duplexní vrstvy.

Co nám tedy zbývá? Pouze a výhradně nitridace v plasmě. Pokud se výrobci zařízení pro PVD/PACVD povlakování tuto technologii nitridace podaří implementovat do depozičního zařízení, máme vyhráno, nemusíme se o nic starat. Celý proces, nitridace i depozice, proběhne v jednom zařízení a za téměř ideálních podmínek.

Pokud ale takovéto zařízení nemáme, procesy se musí rozdělit. Nitridace v plasmě pak splňuje všechny podmínky pro duplexní vrstvy, protože jednak

  • obvykle pracujeme s Rootsovou vývěvou zajišťující startovací tlak 1* 10-3 mbar, tedy s přijatelnou čistotou vakuové komory
  • samotný proces plasmové nitridace vyžaduje těsné zařízení, není tedy problém dodržet rychlost natékaní pod 4 Pa*l/s
  • pracujeme s plyny N2 a H2 při nízkém pracovním tlaku 1-5 mbar, a je tedy významně potlačen vliv nečistot v plynu ve formě kyslíku a vodní páry
  • redukční účinek na povrchové nečistoty a oxidy je v plasmě zajištěn vysoce energetickými částicemi bombardujícími povrch, kdy napětí na katodě/substrátu může být až 2 kV
  • disociace vodíku ve výboji nám zajišťuje dostatečné množství atomárního vodíku tak, aby souběžně probíhala chemická redukce oxidů reakcí s vodíkem
  • není technickým problémem regulovat v zařízení pro plasmovou nitridaci parciální tlak dusíku na úrovni 2 až 4 Pa

 

Jiří Stanislav

25. května 2023

Další články

29 března, 2026

Soaking time II


Číst dále
18 března, 2026

Horolezectví a metalurgie – jde to dohromady?


Číst dále
15 března, 2026

NADCA 207 a soaking time


Číst dále

Jiří Stanislav, Ing., CSc.

Konzultant pro tepelné zpracování
Soudní znalec v oboru metalurgie a tepelného zpracování kovů

IČ: 02232413

Elišky Krásnohorské 965
Liberec 14, 46001 Česká Republika

Stanislav.jirka@gmail.com

+420 603 235 924

Informace

  • Všeobecné obchodní podmínky prodeje kurzů
  • Osobní údaje
  • Podmínky užití

Kontakt

Stanislav.jirka@gmail.com

+420 603 235 924

© 2021 tvorbu webu realizoval SEMTIX.cz
    0Čeština
    • Čeština
    • Angličtina
      Spravovat souhlas s cookies
      Abychom poskytli co nejlepší služby, používáme k ukládání a/nebo přístupu k informacím o zařízení, technologie jako jsou soubory cookies. Souhlas s těmito technologiemi nám umožní zpracovávat údaje, jako je chování při procházení nebo jedinečná ID na tomto webu. Nesouhlas nebo odvolání souhlasu může nepříznivě ovlivnit určité vlastnosti a funkce.
      Funkční Vždy aktivní
      The technical storage or access is strictly necessary for the legitimate purpose of enabling the use of a specific service explicitly requested by the subscriber or user, or for the sole purpose of carrying out the transmission of a communication over an electronic communications network.
      Předvolby
      The technical storage or access is necessary for the legitimate purpose of storing preferences that are not requested by the subscriber or user.
      Statistické
      The technical storage or access that is used exclusively for statistical purposes. The technical storage or access that is used exclusively for anonymous statistical purposes. Without a subpoena, voluntary compliance on the part of your Internet Service Provider, or additional records from a third party, information stored or retrieved for this purpose alone cannot usually be used to identify you.
      Marketing
      The technical storage or access is required to create user profiles to send advertising, or to track the user on a website or across several websites for similar marketing purposes.
      • Spravovat možnosti
      • Spravovat služby
      • Správa {vendor_count} prodejců
      • Přečtěte si více o těchto účelech
      Upravit
      • {title}
      • {title}
      • {title}